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机译:使用晶圆键合在硅基板上制造的1.58- / splμm/ m垂直腔激光器的室温光泵浦操作
机译:通过方向不匹配的晶圆键合制造的1.3- / splμ/ m波长垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的稳定偏振操作
机译:通过晶片键合在Si基板上制造的1.3- / splμ/ m InP-InGaAsP激光器
机译:1.3 / spl mu / m垂直腔激光器的室温脉冲操作,包括底部InGaAsP / InP多层布拉格反射镜
机译:通过晶片键合在硅上InGaAsP垂直腔激光器的光泵操作
机译:利用晶片键合技术设计和制造长波长垂直腔面发射激光器。
机译:金膜厚度和表面粗糙度对室温晶圆键合和金-金表面活化键合的晶圆级真空密封的影响
机译:高性能三层1.3- / spl mu / m Inas-Gaas量子点激光器,具有极低的连续波室温阈值电流 ud
机译:在单片Gaas / si衬底上制备的Gaas / alGaas二极管激光器的室温操作