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机译:1.3-μm范围的GaInNAsSb-GaNAs3和5个QWs激光器的阈值电流密度非常低
III-V semiconductors; MOCVD; current density; gallium compounds; indium compounds; laser cavity resonators; quantum well lasers; semiconductor growth; 1.3 mum; 3 QWs lasers; 5 QWs lasers; GaInNAs-based 5 QWs lasers; GaInNAsSb novel material; GaInNAsSb-GaNAs; cavity le;
机译:GaInNAsSb-GaNAs3和5个QW激光器的1.3- / splμ/ m-范围的极低阈值电流密度
机译:在GaAs衬底上通过金属有机化学气相沉积法生长的低阈值电流密度GaAsSb量子阱(QW)激光器
机译:具有阱中孔(DWELL)结构的低阈值电流密度1.3- / splμm/ m InAs量子点激光器
机译:GaInNAsSb / GaNAs 5QWs激光器的13 / splμ/ m范围的极低阈值电流密度
机译:使用叔丁基ar和叔丁基膦优化MOCVD生长以实现1.55微米低阈值电流激光器
机译:通过连续照射能量密度低于激光诱发损伤阈值的飞秒激光观察和分析熔融石英的结构变化
机译:在图案(001)Si上的低阈值外延生长1.3-μminas量子点激光器