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机译:基于稀氮化镓GaAs的1.3- / splμ/ m二极管激光器的差分增益和线宽增强因子
III-V semiconductors; gallium arsenide; gallium compounds; indium compounds; quantum well lasers; spectral line breadth; waveguide lasers; 1.22 to 1.34 mum; GaAs; GaAs-based lasers; InGaAs quantum wells; InGaAsN; carrier concentration; current concentration; different;
机译:阈值电流为1.3- / splμ/ m体积,1.55- / splμ/ m体积和1.55- / splμ/ m3 MQW DFB P衬底部分倒置的埋入式异质结构激光二极管
机译:1.3 / splμm/ m掺Pr的基于In-Ga的氟化物光纤放大器,由光栅纤维尾纤0.98- / splμm/ m波段的激光二极管泵浦,失谐波长为1 / splμm/ m
机译:1.3- / splμm/ m应变层多量子阱激光器中差分增益和外部差分量子效率的壁垒成分依赖性
机译:1.55 / spl mu / m Mqw和应变Mqw激光器中K因子,微分增益和非线性增益的光学限制因子依赖性
机译:异质结构发光二极管和激光二极管中的差分电阻和理想因子的建模和测量。
机译:GaAsBi / GaAs量子阱二极管激光器中的光学增益
机译:高性能三层1.3- / spl mu / m Inas-Gaas量子点激光器,具有极低的连续波室温阈值电流 ud