机译:基于GAINN的发光二极管改进的震撼式方程:高电流注射下功率降解的来源
Meijo Univ Fac Sci & Technol Nagoya Aichi 4688502 Japan;
Hanyang Univ Dept Photon & Nanoelect ERICA Campus Ansan 15588 South Korea|Hanyang Univ Dept Bionanotechnol ERICA Campus Ansan 15588 South Korea;
Hanyang Univ Dept Photon & Nanoelect ERICA Campus Ansan 15588 South Korea;
Meijo Univ Fac Sci & Technol Nagoya Aichi 4688502 Japan;
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Meijo Univ Fac Sci & Technol Nagoya Aichi 4688502 Japan;
Meijo Univ Fac Sci & Technol Nagoya Aichi 4688502 Japan|Nagoya Univ Akasaki Res Ctr Nagoya Aichi 4648603 Japan;
Light-emitting diodes; internal quantum efficiency; Shockley equation; efficiency droop; potential drop;
机译:基于GaInN的发光二极管的修改后的Shockley方程:大电流注入下功率效率下降的根源
机译:电注入下GaInN基发光二极管内部量子效率的确定:载流子复合动力学分析
机译:通过Al组成渐变的AlGaN / GaN超晶格电子阻挡层提高了基于GaInN的发光二极管的整体效率,并降低了效率下降
机译:考虑辐射和非辐射电流的发光二极管的改进二极管方程
机译:极化匹配的基于GaInN的发光二极管的效率和载流子传输
机译:直接观察电注入下GaN基发光二极管中双轴应力对效率下降的影响
机译:基于ZnO / GaN的发光二极管的电流展开长度和注射效率
机译:用于高效空穴注入的GaN发光三极管(LET)和用于评估效率下垂的物理起源