机译:12×12 In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As雪崩光电二极管阵列
III-V semiconductors; avalanche photodiodes; dark conductivity; gallium arsenide; indium compounds; optical arrays; 0.1 V; 1.0 to 1.6 micron; 1.3 micron; 1.55 micron; 13 GHz; 13.5 V; 2 nA; 300 nA; 40 percent; 45 percent; 57 percent; bandwidth; breakdown voltage; external q;
机译:长波长In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As大面积雪崩光电二极管和阵列
机译:In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As雪崩光电二极管的Geiger模式操作
机译:用128 X 128 HgCdTe电子雪崩光电二极管FPA进行门控红外成像
机译:128×32基于InP的盖革模式雪崩光电二极管的阵列
机译:太阳盲紫外光电探测器,焦平面阵列和可见盲雪崩光电二极管。
机译:基于自主薄膜数字Geiger雪崩光电二极管阵列的可穿戴式大脑正电子发射断层摄影相机的初步性能研究
机译:基于128x32 Inp的Geiger模式雪崩光电二极管阵列