首页> 外文期刊>Известия высших учебных заведений >МИНИАТЮРНЫЙ КОДЕК КОРРЕКЦИИ МНОГОБИТНЫХ СМЕЖНЫХ ОШИБОК НА БАЗЕ FPGA ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В SRAM
【24h】

МИНИАТЮРНЫЙ КОДЕК КОРРЕКЦИИ МНОГОБИТНЫХ СМЕЖНЫХ ОШИБОК НА БАЗЕ FPGA ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В SRAM

机译:微型多位编解码器校正与FPGA SRAM基数相关的错误

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Для защиты данных в статической памяти SRAM от мультибитных сбоев MBU (multiple bit upsets) обычно используются корректирующие коды для случайных и смежных ошибок. Эти сбои MBU, обусловленные излучением сигнала, являются серьезной проблемой надежности статической памяти произвольного доступа SRAM (static random access memory). В результате множество смежных бит памяти искажаются, и значимая часть информации теряется. Для смягчения указанных проблем, в SRAM предпочтительнее использовать корректирующие коды многобитных смежных ошибок. В данной работе предлагаются коды «коррекция единичных ошибок-обнаружение двойных ошибок-коррекция двойных смежных ошибок» SEC-DED-DAEC (single error correction-double error detection-double adjacent error correction). Производительность предложенных кодов SEC-DED-DAEC оценивается с точки зрения таких параметров, как занимаемая площадь и задержка распространения. Теоретическое верхнее значение занимаемой площади предложенного кода как минимум на 49,98% меньше, по сравнению с аналогичной конструкцией. Также предложенная конструкция дает меньшее значение задержки критического пути распространения приблизительно на 28,79% в сравнении с существующими конструкциями. Достигнутые улучшения площади, выраженные через количество элементов LUT (look up table) и задержки распространения, составили 22,69% и 29,98% соответственно, по сравнению с другими кодами, реализованными на платформе FPGA. Предложенные коды могут быть встроены в SRAM.
机译:为了保护来自MBU的静态SRAM存储器中的数据,多维数据故障(多个比特upsets),通常使用用于随机和相邻误差的校正码。由信号辐射引起的这些MBU故障是SRAM访问(静态随机存取存储器)的静态存储器的可靠性的严重问题。结果,许多相邻的存储器比特被失真,并且丢失了重要部分。为了减轻指定的问题,在SRAM中,优选使用多频相邻误差的校正码。本文提供“校正单位误差检测 - 双误差校正双相邻误差”SEC-DED-DEEC(单次纠错 - 双误差检测 - 双相邻纠错)。提出的SEC-DED-DAEC代码的表现估计从占领区域和分布延迟等参数的角度来看。与类似的设计相比,所提出的代码的占用面积的理论顶部值少至少49.98%。此外,与现有结构相比,所提出的设计给出了临界传播路径延迟约28.79%的延迟值。与在FPGA平台上实施的其他代码相比,通过LUT元素(查找表)和分布延迟的数量表示的达到的区域改善分别为22.69%和29.98%。所提出的代码可以嵌入SRAM中。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号