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机译:应变四面体半导体材料增益的8波段k.p理论:在1.3 / spl mu / m-InGaAsP激光器上施加额外的外部单轴应力的应用
机译:1.3- / splμm/ m应变层多量子阱激光器中差分增益和外部差分量子效率的壁垒成分依赖性
机译:短外腔1.3 / spl mu / m InGaAsP半导体二极管激光器的非线性增益和光谱输出
机译:具有锥形增益区的应变层InGaAsP二极管激光器,可在/ splλ/ = 1.3 / spl mu / m下运行
机译:外部机械力对应变式1.3 / splμm/ m半导体激光器发出的光的影响:偏振切换和模式光谱
机译:半导体增益材料和垂直外腔表面发射激光器系统的量子建模