Charakteryzacja przyrządów kluczujących pod względem zastosowania w generatorach ultradźwiękowych dużej mocy

摘要

This article presents the analysis of switching devices used in high power ultrasound generators for supplying stack piezoelectric transducers. The main goal of this work is to examine and compare dynamic characteristics of modern power switches in nominal working conditions - applying temperatures of 25 - 80℃ range. The two high-power device topologies are discussed - silicon IGBTs and silicon carbide MOSFETS.%W artykule przedstawiono analizę właściwości przyrządów kluczujących stosowanych w układach falowników dużej mocy przeznaczonych do zasilania piezoceramicznych przetworników ultradźwiękowych. Szczególny nacisk położono na właściwości dynamiczne przyrządów kluczujących w typowych warunkach pracy obejmujących szeroki zakres temperatur (25 - 80℃). Analizie poddano najnowsze konstrukcje przyrządów - tranzystory IGBT oraz tranzystor MOSFET wykonany na podłożu węgliko-krze-mowym.