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Galliumnitrid auf dem Weg zu Mainstream-Anwendungen

机译:氮化镓正在成为主流应用

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摘要

Die Vorteile der Galliumnitrid-Technologie (GaN) sind in der Hochfrequenz-und Mikrowellenbranche nur allzu gut bekannt. GaN liefert achtmal mehr Leistungsdichte als etablierte Hochleistungs-GaAs- und LDMOS-Technologien und besitzt darüber hinaus die Fähigkeit, die Gerätetechnik auf Hochfrequenz zu skalieren. Mit der GaN-Technologie können Entwickler hohe Bandbreiten unter Beibehaltung hoher Wirkungsgrade erzielen.
机译:氮化镓(GaN)技术的优势在射频和微波行业中众所周知。 GaN的功率密度是已建立的高性能GaAs和LDMOS技术的八倍,并且具有将器件技术扩展到高频的能力。 GaN技术使开发人员能够在保持高效率的同时实现高带宽。

著录项

  • 来源
    《Elektronikpraxis》 |2014年第22期|62-64|共3页
  • 作者

    DOUG CARLSON;

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 ger
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