...
机译:高功率,高亮度2 W(200μm)和3 W(500μm)CW AlGaAs激光二极管阵列,使用寿命长
Spectra Diode Labs., San Jose, CA, USA;
III-V semiconductors; aluminium compounds; gallium arsenide; reliability; semiconductor junction lasers; 10000 h; 2 W; 200 micron; 3 W; 500 micron; AlGaAs; CW lifetimes; aperture widths; high brightness laser diodes; laser diode arrays; long lifetimes; power levels; semiconductors; single-aperture;
机译:高功率和高亮度InGaAs-InGaAsP-AlGaAs量子阱二极管激光器的设计考虑和性能(/ spl lambda / = 0.98 / spl mu / m)
机译:高亮度激光二极管器件,从200μm / NA0.22光纤发射500 W
机译:InAsSb / InAlAsSb应变量子阱二极管激光器的高CW功率(<200 mW /面)为3.4 / spl mu / m
机译:Progressin开发宽波导高功率0.97-2.3#MU#M二极管激光器和CW室温2.3-2.7 #m#m中红外激光器
机译:高功率二极管激光器阵列的热管理,光束控制和封装设计,以及二极管激光器阵列抽运的棒状激光器的泵浦腔设计。
机译:用于射频功率检测和低功率接收应用的双功能片上AlGaAs / GaAs肖特基二极管
机译:连续激光二极管泵浦下YLF:Er晶体中2.8μm激光跃迁的能级人口的浓度和功率依赖性。