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机译:小几何双极晶体管中电流增益的二维影响的解析模型
Dept. of Electron., Naples Univ., Italy;
bipolar transistors; electron-hole recombination; semiconductor device models; analytical modelling; beta dependence; carrier recombination; current gain; emitter size; emitter-base junction; model; small-geometry; spacer geometry; two-dimensional effects;
机译:分析和最小化小几何形状对自对准“蚀刻多晶硅”发射极双极晶体管的电流增益的影响
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机译:小几何形状对高速自对准双极晶体管的最大截止频率f
机译:可变寿命P-I-N二极管的物理模型和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的二维效应
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机译:高反向电压下AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管肖特基电流的半解析二维模型