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机译:在整个1.3微米通信窗口中的外腔中对MQW激光器进行160 nm连续调谐
British Telecom Res. Labs., Ipswich, UK;
III-V semiconductors; gallium arsenide; gallium compounds; indium compounds; laser cavity resonators; laser tuning; optical communication equipment; semiconductor junction lasers; 1.255 to 1.417 micron; 1.3 micron; 40 mW; III-V semiconductor; InGaAsP-InP laser; MQW laser; continuous tuning; external cavity; grating extended cavity; optical fibre communications window;
机译:1.3微米外腔半导体激光器的6 GHz宽,连续和纯频率调谐的成就及其在高分辨率光谱测量中的应用
机译:通过GRIN-SC-MQW-BH InGaAsP激光器在扩展腔中进行242 nm连续调谐
机译:外腔类型-i量子井级联二极管激光器,调谐范围为440nm,近3亩
机译:混合外腔激光器,调谐范围为160 nm
机译:用于基于锶88单离子的光学原子钟中使用的1092 nm二极管泵浦光纤激光器和1033 nm外腔二极管激光器的频率稳定性。
机译:腔结构对液体环境中聚合物激光器调谐特性的影响
机译:失谐和非辐射复合对1.3μmGaAsSb / GaAs垂直腔面发射激光器的温度依赖性的影响