机译:MOVPE使用rs发生器系统在1.31μm的高性能应变MQW激光器
机译:MOVPE使用TBA和TBP生长的亚毫安级阈值1.3 / spl mu / m应变MQW激光器,具有新颖的p衬底掩埋异质结构
机译:低-高线性度1.55μm应变层MQW DFB激光器,用于光学模拟电视分配系统
机译:温度相关工艺对1.5- / splμm/ m压缩应变InGaAs(P)MQW半导体二极管激光器性能的影响
机译:1.3 / spl mu / m InGaAsP / InP应变层MQW激光器,通过添加CH / sub 3 / Cl进行反应离子刻蚀和MOVPE再生长制成
机译:(111)A砷化镓上的压电铟砷化镓/砷化镓应变量子阱结构:MOVPE的生长,性质及其在半导体激光器中的应用。
机译:同步发电机纳米流体的冷却系统热性能的数值研究
机译:通过优化的脊波导设计改善1.31-mu / m量子点激光器的温度性能 ud
机译:用mOVpE生长的压缩应变InGaas / Inp量子阱的红外发光(1.6-1.9μm)。