High-speed operation of resonant tunnelling flip-flop circuit employing MOBILE (monostable-bistable transition logic element)

Maezawa K.; Matsuzaki H.

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High-speed operation of resonant tunnelling flip-flop circuit employing MOBILE (monostable-bistable transition logic element)

机译：采用MOBILE（单稳态-双稳态转换逻辑元件）的谐振隧道触发器电路的高速操作

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A new flip-flop circuit employing a monostable-bistable transition logic element is proposed which was fabricated with resonant tunnelling diodes/HEMT integration technology on an InP substrate. Error free operations up to 18 Gbit/s were demonstrated at room temperature.

机译：提出了一种采用单稳态-双稳态跃迁逻辑元件的新型触发器电路，该电路是利用谐振隧穿二极管/ HEMT集成技术在InP衬底上制造的。在室温下证明了高达18 Gbit / s的无错误操作。

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来源
《Electronics Letters》 |1997年第20期|P.1733-1734|共2页
作者
Maezawa K.; Matsuzaki H.;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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