Realisation of R-L and C-D immittances using single FTFN

Wang H.-Y.; Lee C.-T.

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Realisation of R-L and C-D immittances using single FTFN

机译：使用单个FTFN实现R-L和C-D导纳

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New resistor-inductor and capacitor-frequency-dependent negative resistance configurations are presented that use one plus-type four-terminal floating nullor (FTFN) and three passive components. The values of simulated elements can be orthogonally adjusted without any matching condition. Simulated results agree well with theoretical values.

机译：提出了一种新的电阻-电感和电容-频率相关的负电阻配置，该配置使用一个正型四端浮置调零器（FTFN）和三个无源元件。可以在没有任何匹配条件的情况下正交调整模拟元素的值。模拟结果与理论值吻合良好。

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来源
《Electronics Letters》 |1998年第6期|P.502-503|共2页
作者
Wang H.-Y.; Lee C.-T.;
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作者单位

Inst. of Opt. Sci., Nat. Central Univ., Chung-Li;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
active networks; electric immittance; multiterminal networks; negative resistance devices; C-D immittance; FTFN; R-L immittance; active current-mode element; capacitor-frequency-dependent negative resistance; passive component; plus-type four-terminal floating nullor; resistor-inductor negative resistance; simulation;

机译：有源网络;电阻抗;多端子网络;负电阻器件;CD阻抗;FTFN;RL阻抗;有源电流模式元件;电容频率相关的负电阻;无源元件;正型四端子浮置零电阻;电阻器电感负电阻;仿真;

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