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机译:基于0.25 / spl mu / m非凹陷自对准栅极GaAs P-HEMT的11 dB 0-50 GHz共面分布式放大器IC
机译:通过自对准栅工艺制造的0.25 / splμu/ m无凹栅GaAs P-HEMT的DC和RF特性
机译:采用0.3 / spl mu / m AlGaAs / GaAs / AlGaAs HEMT技术的25 GHz增益的17 GHz宽带放大器
机译:采用基于GaAs的0.1- / spl mu / m栅极GaAs HEMT MMIC生产工艺技术的94-GHz单片平衡功率放大器
机译:0.25 / spl mu / m CMOS中的0.1 / spl sim / 14 GHz全集成锥形分布放大器的设计
机译:共面波导技术中的67 GHz 0.3 um AlGaAs / GaAs / AlGaAs HEMT单片放大器的设计和表征
机译:用于2.4 GHz低功耗微波放大器和RFIC的自对准Gaas JFET;电子信件