机译:基于优化的变压器拓扑和集成ESD的S波段低功率单至差分LNA
EPSON Eur. Electron., Barcelona;
CMOS integrated circuits; MMIC amplifiers; differential transformers; electrostatic discharge; low noise amplifiers; low-power electronics; CMOS technology; common-source differential transistor pair; current reuse; electrostatic discharge protection diodes; frequency 2.1 GHz; gain 29.8 dB; low-noise amplifier; noise figure 4.5 dB; power 1.1 mW; size 0.18 mum; voltage 1.2 V;
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