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机译:具有65nm CMOS技术的趋肤效应损耗均衡的2抽头预加重SST发射器
Inst. of Microelectron., Tsinghua Univ., Beijing, China;
CMOS integrated circuits; equalisers; skin effect; transmitters; 2-tap pre-emphasis SST transmitter; CMOS technology; FR4 channel; bit rate 8 Gbit/s; bit rate 9 Gbit/s; channel skin effect loss equalization; driver impedance adjustment; low frequency loss compensation; power 39 mW; size 24 inch; size 65 nm; transmitter equalisation coefficient; voltage 1 V;
机译:具有65nm CMOS技术的自动序列化时间窗口搜索和2抽头预加重功能的80 mW 40 Gb / s发射机
机译:112 GB / S PAM-4发射器,具有2间分数间隔的FFE,65-NM CMOS
机译:预加重发射器(0.007 mm〜2,8Gbit / s,0-14 dB)在65 nm CMOS中具有改善的数据过零精度
机译:采用65nm LP CMOS的10Gb / s 10mW 2抽头可重配置预加重发射机
机译:基于数控人工介电层的57-65GHz可重配置CMOS mQAM发射机和变压器耦合功率放大器
机译:使用65 nm CMOS技术单片集成的CMOS-NEMS铜开关
机译:用于65nm CMOS技术的2 GS / S 14位电流转向DAC用于无线发射器