Samsung startet Massenproduktion

摘要

Samsung hat mit der Massenproduktion des dreidimensionalen Vertical NAND Flash Memory begonnen. 128 Gigabit beträgt die Speicherkapazität eines Chips. Genutzt wird die proprietäre vertikale Zellenstruktur, basierend auf 3D-Charge-Trap-Flash (CTF)- und vertikaler Inter-connect-Prozesstechnologie zur Verbindung des 3D-Zellenarrays. Im Vergleich zu 20-nm-Class-Planar-NAND-Flash-Me-mory verdoppelt sich damit die Skalierung. Zur Realisierung von vertikalem Stapeln planarer Zellenlayer für eine neue 3D-Struktur, wurde die CTF-Architektur überarbeitet.