Hochohmwiderstände in Dickschichttechnik: Widerstandsbereich bis 100 Teraohm

摘要

Durch konsequente Weiterentwicklung der Technologie von Hochohmwiderständen in Dickschichttechnik ist es SRT Resistor Technology gelungen, den verfügbaren Widerstandsbereich beträchtlich zu er- weitern. In dem Wertebereich von 10 bis 100 TΩ waren bisher auf dem Markt nur sehr aufwändige Widerstands-Konstruktionen verfügbar, bei denen Widerstandselemente in Glasröhrchen eingebaut werden. Bei SRT konnte dagegen mit handelsüblichen bedrahteten Bauformen (zum Beispiel Länge 50 mm, Betriebsspannung 30 kV) der Wertebereich bis in den 100-TΩ-Bereich ausgedehnt werden. Die Langzeitstabilität dieser Widerstände liegt im Bereich der Messgenauigkeit der besten verfügbaren Messgeräte. Diese gute Langzeitstabilität ist dadurch bedingt, dass das leitfähige Material in der Widerstandsschicht durch den Herstellungsprozess in eine Glasmatrix eingebettet wird und damit gegen Umwelteinflüsse wie Feuchtig- keit geschützt ist. Die äußere Umhüllung des Widerstandselements mit einem Silikonlack dient lediglich als Berührungsschutz und zur Vermeidung von leitfähigen Verschmutzungen, die durch Handling-Prozesse entstehen können. Die Temperatur- sowie die Spannungskoeffizienten dieser Widerstände sind relativ stark vom Widerstandswert abhängig und werden in entsprechenden Tabellen beziehungsweise in Diagrammen dargestellt. Mit den bei dieser Weiterentwicklung gewonnenen Erkenntnissen sind jetzt auch Chipwiderstände im Bereich bis 10 TΩ mit definierten Eigenschaften herstellbar.