HF-GaN-Transistoren für Radarsysteme

摘要

Neu entwickelte HF-GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistor) von Cree ersetzen in Radarsystemen die Wanderfeldröhren (Traveling Wave Tubes) und verbessern damit viele Systemeigenschaften. Der CGHV59350 ist mit 350 W und 50 Ω Impedanzanpassung einer der leistungsstärksten C-Band-Transistoren auf dem Markt. Der CGHV31500F leistet 500 W an 50 ü und ist einer der leistungsstärksten S-Band-Transistoren in einem Single-Ended-Gehäuse dieser Größe.