...
首页> 外文期刊>Electron >De aansturing van vermogens-MOSFET's
【24h】

De aansturing van vermogens-MOSFET's

机译:功率MOSFET的控制

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

De auteur geeft hier een paar voorbeelden om vermogens-MOSFET's veilig en zeker aan te sturen. De gatecapaciteit van MOSFET's Zoals we weten gedraagt de gate van een MOSFET (verder FET genoemd) zich als een condensator met een hoge weerstand parallel. Die capaciteit wordt nogal eens onderschat. Hoe groter de maximale stroom mag zijn, des te groter is ook die capaciteit. Zo heeft bijvoorbeeld de IRF150 een gatecapaciteit van 3000 pF. Nu is dat wel een 40-ampère type maar als je zo'n FET wilt aansturen moet je wel even opletten. Werken we met gelijkspanning zoals in lineaire voedingsapparaten, dan kunnen we deze capaciteit meestal wel verwaarlozen. Iets anders wordt het als we de FET snel in en uit willen schakelen in geschakelde voedingen of bij motorsturingen waarbij pulsbreedtemodulatie wordt gebruikt om het toerental te regelen.
机译:作者在此处提供了一些示例,以安全可靠地驱动功率MOSFET。 MOSFET的栅极电容众所周知,MOSFET(以下称为FET)的栅极的行为类似于具有高电阻并联的电容器。这种能力经常被低估。最大电流可能越大,该容量越大。例如,IRF150的栅极容量为3000 pF。现在是40安培型,但是如果您想控制这样的FET,则必须注意。如果使用直流电压(例如线性电源设备),则通常可以忽略此容量。如果要在开关模式电源或使用脉冲宽度调制来控制速度的电动机控件中快速打开和关闭FET,情况会有所不同。

著录项

  • 来源
    《Electron 》 |2011年第8期| p.326-327| 共2页
  • 作者

    Harry Zaaiman I2HZB;

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号