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机译:通过使用金属插入的多晶硅叠层并在高温下退火,可实现基于硅酸盐/硅结构的nMOSFET中0.62 nm的EOT和高电子迁移率
Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan;
Direct-contact high-$k$/Si structure; effective mobility; equivalent oxide thickness (EOT); high- $k$ gate dielectrics; interface state density; rare earth oxides; silicate;
机译:沉积后退火环境对1nm EOT Al 2 sub> O 3 sub> / GeO x sub> / Ge栅堆叠的Ge nMOSFET迁移率的影响
机译:直接接触La-Slate / Si结构纳米复合材料中电子迁移率表征的实验研究
机译:共同优化金属栅极/高k堆栈,以实现EOT =〜1 nm的高90%SiO {sub} 2通用迁移率的高场迁移率
机译:La硅酸盐MOSFET的金属插入多晶硅经过高温退火,可实现0.62nm的EOT
机译:存在高κ栅极绝缘体的块状Si NMOSFET中的电子传输:电荷俘获和迁移率
机译:采用无注入技术的全栅TiN / Al2O3堆叠结构的低温多晶硅纳米线无结器件
机译:远程库仑和界面粗糙度散射对具有高k堆叠栅极电介质的InGaAs nMOSFET电子迁移率的影响