机译:基于Mote2的肖特基结的形成采用超低和高电阻金属触点
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机译:肖特基型金属/ SrTiO_3结的形成及其电阻特性
机译:肖特基型金属/ SrTiO 3 sub>结的形成及其电阻特性
机译:双L&S形成方法使用抗蚀剂接触孔图形超低k_1氧化物接触孔形成和金属填充
机译:低电阻率的锗硅化物接触层形成了用于纳米级CMOS的磷掺杂的硅锗合金源/漏结。
机译:Van der Waals与垂直肖特基结过渡金属二卤化二硅光伏电池接触的新金属转移工艺
机译:基于Mote2的肖特基结的形成采用超低和高电阻金属触点
机译:接触金属化和封装技术开发用于siC双极结晶体管,piN二极管和肖特基二极管,专为350°C的长期工作而设计