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机译:通过第一原理计算研究的Cugas2 Chalcylite接口的带对准
机译:CuGaS2黄铜矿界面的电子能带对准
机译:黄铜矿CuGaS2的振动和介电特性的第一性原理计算
机译:X射线光电子能谱和第一性原理计算得出的2D WS_2 / HfO_2界面的能带对准
机译:在HFO_2 / 4H-SIC(0001)界面处的带对准的实验和第一原理研究
机译:利用统计を见る对金属硅化物/硅界面的电子结构进行第一性原理计算
机译:CuGaS2黄铜矿的能带取向第一性原理研究的界面
机译:CuGaS2黄铜矿界面的电子能带对准
机译:表面和界面处的准粒子能量的第一性原理计算:半导体表面态光谱和带偏移