机译:在〜(177)Au中强烈耦合带的脱离激励,并对光HG同位素中的核心入侵者配置的影响
Institute of Physics Slovak Academy of Sciences SK-84511 Bratislava Slovakia;
Oliver Lodge Laboratory University of Liverpool Liverpool L69 7ZE United Kingdom Department of Physics College of Science Education University of Sulaimani P.O. Box 334 Sulaimani Kurdistan Region Iraq;
PNTPM CP229 Universite Libre de Bruxelles B-1050 Bruxelles Belgium;
Department of Physics Georgia Institute of Technology Atlanta Georgia 30332 USA;
Oliver Lodge Laboratory University of Liverpool Liverpool L69 7ZE United Kingdom;
机译:AU-177中强耦合带的脱离激励及其在轻质HG同位素中的核心入侵者配置的影响
机译:质子未结合核Au-173,Au-175,Au-177中受激结构的鉴定:形状共存和入侵谱带
机译:在AU-177中的高旋转入侵者状态的低自旋正奇偶频带的群体:两种混合效果
机译:耦合芯杆滴实验的瞬态裂变矩阵分析,用于寻求高级占优势率的配置
机译:气候变化的速度和时机:NorthGRIP,格陵兰和山的详细冰芯稳定同位素记录。西南极洲莫尔顿。
机译:在多种治疗中177Lu-PSMA-617 PRLT的治疗疗效预后变量和临床结果在逐步治疗中进行:高FDG摄取对双跟踪PET-CT Vis-Vis in-Vis-Vis在这种队列中的预后意义
机译:轻汞同位素中177Au中强耦合带的去激发及其对核心入侵者构型的影响