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机译:FUV光解离形成的L 1551屏蔽物的本征丰度比和X因子
Sheng-Jun Lin (林聖鈞)1; Yoshito Shimajiri2; Chihomi Hara3; Shih-Ping Lai (賴詩萍)1; Fumitaka Nakamura4; Koji Sugitani5; Ryohei Kawabe346; Yoshimi Kitamura7; Atsushi Yoshida8; Hidefumi Tatei8; Toshiya Akashi8; Aya E. Higuchi9; Takashi Tsukagoshi9;
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