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机译:使用Ni和MgO图案化的超平Cu箔,通过层的位置和层数( n em> = 0、1和大于2)控制石墨烯的生长
机译:通过使用Ni和MgO图案化的超平Cu箔的层(n = 0,1和2)的位置和数量(n = 0,1,且大于2)控制的石墨烯生长
机译:Cu-Ni合金箔上AB堆积双层石墨烯的生长机理和受控合成
机译:Bimetallic Ni / Cu(111)表面和近地表合金的石墨烯层,可控制石墨烯生长
机译:通过冷壁化学气相沉积在Ni和Cu箔上直接沉积几层石墨烯
机译:用于无传感器执行器位置控制的Ni-Ti和Ni-Ti-Cu形状记忆合金的应力-应变-电阻行为建模。
机译:通过化学气相沉积在铜上可控制地将石墨烯从毫米大小的单层生长到多层
机译:通过使用Ni和MgO图案化的超平Cu箔的层(n = 0,1和2)的位置和数量(n = 0,1,且大于2)控制的石墨烯生长
机译:在90/10铜(Cu)/镍(Ni)合金上合成双层石墨烯并通过电化学分层转移。