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机译:拓扑绝缘体Bi 2 sub> Se 3 sub>和InAs Rashba态中电流感应的自旋极化的直接比较
机译:APS -APS 2017年3月会议-事件-拓扑绝缘体和InAs Rashba状态下电流感应的自旋极化的直接比较。
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机译:超快光电流测量拓扑绝缘子Bi
机译:电流诱导的旋转极化和动态核极化:砷化镓中电子和核自旋极化的产生和操纵
机译:直接比较拓扑绝缘体Bi2Se3和InAs Rashba态中电流感应的自旋极化
机译:在拓扑结构中直接比较电流引起的自旋极化 绝缘体Bi2se3和Inas Rashba状态