Evidencia De Centros De Atrapamiento En Muestras De Cu3BiS3 A Partir De Medidas De Corriente Térmicamente Estimulada

摘要

Se fabricaron películas delgadas de Cu3BiS3 por evaporación de las especies precursoras de Cu y Bi en atmósfera de azufre (sulfurización) mediante un proceso que incluye dos etapas. Las muestras fueron depositadas sobre sustratos de idrio tipo Soda-Lime a una temperatura de deposición de 573 K. Para la región de bajas temperaturas (T ≤ 300 K) se realizaron mediciones experimentales de Corriente Térmicamente Estimulada (TSC) sobre las muestras de Cu3BiS3 para determinar la presencia de centros de atrapamiento en el material. Análisis de difracción de rayos X y medidas de termo potencia a temperatura ambiente, permitieron evidenciar la fase y el tipo de conductividad del material respectivamente. Los espectros obtenidos a partir de las medidas de TSC mostraron la presencia de centros de atrapamiento relacionados con los picos en las curvas de corriente en función de la temperatura. Se presenta una correlación entre la densidad de estados de defecto (DOS) presentes en el gap y los niveles de trampa con las propiedades de transporte. Se encontró que el transporte para la región de altas temperaturas (T≥300 K) es gobernado por portadores térmicamente activados evidenciándose transiciones entre bandas o de colas de banda a banda.   Thin films of Cu3BiS3 were produced by evaporating of precursor species of Cu and Bi in atmosphere of sulfur through a process that includes two stages. The samples were deposited on glass substrates type Soda-Lime at a temperature of 573 K. For the region of low temperatures (T ≤ 300 K) Thermally Stimulated Current measurements are carried out on Cu3BiS3 samples for determine the presence of trapping centers in the material. Analysis of X-ray diffraction and thermal power measures to room temperature enabled  the phase and the type of conductivity of the material respectively. The spectra obtained from the TSC showed the presence of trapping centers associated with the peaks in the  currents curves as a function of temperature. We present a correlation between the density of defect states (DOS) in the gap and levels of trap with the properties of transport. It was found that transport to the region of high temperatures (T ≥ 300 K) is governed by thermally activated carriers showed transitions between bands or of queue band to band.