Influencia De La Impurificación En La Energía De Activación Térmica De Defectos Profundos Para El GaAs:Ge Tipo p

摘要

120 1920x1200 Normal 0 false false false EN-US X-NONE X-NONE En este trabajo se presentan los valores obtenidos por fotoluminiscencia (FL) de la energía de activación térmica (E A ) de defectos profundos en muestras de GaAs tipo p con diferentes concentraciones de Ge, crecidos por Epitaxia en Fase Liquida. El estudio realizado por FL se hizo variando potencia de excitación y temperatura. Los espectros fueron analizados con el modelo de Hopfield, el cual arrojó los valores de intensidad máxima para cada pico de defectos. Con la variación de la intensidad en función de la temperatura se obtuvieron las E A en cada muestra. Se encontró que estos valores de E A están muy cercanos a la diferencia entre los estados de carga de la vacancia de Galio. También se encontró que E A disminuye con la concentración y se propone un modelo que explica este comportamiento.   120 1920x1200 Normal 0 false false false EN-US X-NONE X-NONE This paper presents the values obtained by photoluminescence (PL) of the deep level thermal activation energy (E A ) for samples of GaAs p type with different concentrations of Ge, grown by liquid phase Epitaxy. The study was done by PL excitation varying power and temperature. The spectra were analyzed with the Hopfield model, which threw the values of maximum intensity for each peak defects. With varying intensity depending on the temperature were obtained the E A ’s in each sample. It was found that these values of E A are very close to the difference between the charge states of Gallium vacancy. It is also found that E A decreases with concentration and is proposed a model that explains this behavior.