球形GaAs量子点中心类氢杂质基态束缚能的研究

摘要

本文运用有限差分方法研究了球形GaAs量子点中类氢杂质基态束缚能。GaAs材料导带底具有抛物特征，电子受限于球形GaAs量子点可以看成是受到抛物势场限制。研究结果表明：球形量子点中类氢杂质基态束缚能与量子点的半径和导带抛物势参数有关。对于小半径量子点，杂质基态束缚能随量子点半径的增加变化明显，当半径增加到一定时，量子点半径的变化对束缚能影响很小，趋于不变的趋势，但是对于大半径的量子点，杂质基态束缚能受抛物势参数的影响很大，这是抛物势场限制宽度与量子点阱宽两个特征长度相互竞争的结果。