退火温度对ITO薄膜电导率的影响

摘要

采用电子束蒸镀技术研究 ITO 薄膜的电导率与热处理 ( RTA ) 温度的关系。利用 XRD 分析薄膜的相结构，用 SEM 观测薄膜的显微结构，利用 Hall 测试仪测量薄膜的电学性能。 结果表明，退火后 ITO 薄膜的结晶度得到明显改善 ， 晶相择优生长，晶粒尺寸变大， 薄膜电导率随退火温度的上升先升高后下降。经过 520 ℃ 退火 15 min 时，制备的薄膜样品电导率最大。