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机译:锗取代的方钴矿化合物的高压合成,结构与磁性Ln x Co 4 Sb 12?¢ ???? y Ge y,Ln = La,Ce,Pr和Nd
机译:具有Ge取代主体网络的新型填充方钴矿化合物的高压合成和结构; LnRh_4Sb_9Ge_3,Ln = La,Ce,Pr和Nd
机译:碘填充方钴矿I_(0.9)Rh4Sb_(12)-第一阴离子填充方钴矿的高压合成,结构及电性能
机译:碘填充方钴矿I_(0.9)Rh4Sb_(12)-第一阴离子填充方钴矿的高压合成,结构及电性能
机译:部分填充的Skutterudite化合物Ce_xco_4sb_(12)的高压合成和热电性能
机译:高压合成的部分填充方钴矿RxCo4Sb12(R = La,Ce和Nd)的热电性质
机译:双填充方钴矿(SmGd)y(FexNi1-x)4Sb12的结构性质和热电性能
机译:Ge取代填充skutterudite化合物的高压合成,结构和磁性; LnxCo4sb12-yGey,Ln = La,Ce,pr和Nd