MOCVD ile Büyütülen InxGa1-xAs Epikatmanlar?n Optik ve Yap?sal ?zellikleri

摘要

In x Ga 1-x As tabakalar? katk?s?z InP (100) altta? üzerine Aixtron 200-4 RF/S yatay Metal Organik Kimyasal Buhar Depolama (MOCVD) sistemi ile büyütülmü?tür. Bütün epikatmanlar farkl? indiyum konsantrasyonlar?nda büyütülmü?tür. Katmanlar?n kal?nl?klar? Taramal? Elektron Mikroskobu (SEM) ile ?l?ülmü?tür. ?ndiyum konsantrasyonlar? Yüksek ??zünürlüklü X-???n? K?r?n?m (HRXRD) cihaz? ile tayin edildi ve k?r?lma indisi (n) ve kal?nl?klar?n belirlenmesi i?in optiksel ?l?ümler spektroskopik elipsometre ile yap?ld?. In-situ yans?ma, ?rneklerin kal?nl?klar?n?n belirlenmesi i?in kullan?lm??t?r. Son olarak bütün kal?nl?klar kar??la?t?r?lm??t?r.