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摘要

Mit dem NV6128 hat Navitas seine Familie an GaNFast-Power-ICs nach oben für Anwendungen bis 500 W erweitert. Der 70-mΩ-Baustein kann in seinem 6 mm × 8 mm großen PQFN-Gehäuse bis zu 20 A bei einer Spannung von 650 V schalten. Kurzzeitig kann er aber auch 40 A leiten und Spannungen bis 800 V sperren. Das Gate des Schalttransistors ist vollständig geschützt, wobei der gesamte Baustein eine ESD-Spe-zifikation von 2 kV erfüllt. Die Leistungs-ICs der GaNFast-Serie integrieren sowohl den Leistungs-Fet als auch die Gate-Treiber sowie die Schutzbeschaltung in Galliumnitrid (GaN).