Mosfets Mit Reduzierten Verlusten

摘要

Zehn neue 600-V-MOSFETs von AOS sind bei Setron erhältlich. Die Entwickler der neuen Bausteine haben auf eine optimierte Kombination aus niedrigem R_(DS(on)) und C_(rss) geachtet, um eine Leistungswandlung mit reduzierten Schaltverlusten zu ermöglichen. Durch Nennströme von 1 A beim »AOD1N60« beziehungsweise bis 12 A beim »AOT12N60« und dem »AOTF12N60« eignen sich die MOSFETs für eine breite Palette von Anwendungen. Die Bauteile sind in drei Standardgehäusen verfügbar: DPAK, TO-220 und im elektrisch isolierten TO-220F.