Bipolartransistor reloaded

摘要

Siliziumkarbid kann den Bipolartransistoren wieder neues Leben einhauchen. Im Gegensatz zu ihren siliziumbasierenden Pendants zeichnen sie sich durch geringere Leitungsverluste, eine hohe Durchschlagfestigkeit und einen stabilen Betrieb über einen gr??eren Temperaturbereich aus. Auch lassen sich die Ansteuerungsverluste reduzieren. Und durch die h?heren Schaltfrequenzen k?nnen viel kleinere Induktivit?ten zum Einsatz kommen. Damit stellen SiC-Bipolartransistoren beispielsweise in Anwendungen wie PV-Wechselrichtern eine attraktive Alternative dar.