Trench ist nicht immer besser

摘要

Viele Ingenieure nehmen an, die Leistungsverluste in einem Leistungs-MOSFET seien eine direkte Funktion des Durchlasswiderstands. Das ist nicht ganz falsch, greift allerdings zu kurz. In Anwendungen mit hohem Leistungsbedarf dominieren die Durchlassverluste in der Regel tatsächlich. Doch für zahlreiche Anwendungen mit geringem bis mittlerem Leistungsbedarf ist diese Annahme unzulässig vereinfachend. In solchen Anwendungen ist es unerlässlich, auch die Schaltverluste in die Gesamt-Leistungsver-luste mit einzuberechnen und die völlig unterschiedlichen Eigenschaften von Trench-und lateralen MOSFETs zu berücksichtigen. Denn »Trench« ist nicht immer besser.