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600-V-GaN-Transistoren

机译:600V-GaN晶体管

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摘要

Als einer der ersten Hersteller weltweit hat Panasonic sein Leistungshalbleiterprogramm »Enelead« um einen selbstsperrenden GaN-Transistor erweitert, dessen Sperrspannung mit 600 V, dessen Durchlasswiderstand mit 65 mΩ und dessen maximale Stromtragfähigkeit mit 15 A angegeben ist. Enelead beinhaltet dazu ein breiteres Line-up an Komponenten für den Einsatz in Batterie-Management-Systemen und Stromversorgungen. Dazu zählen MOSFETs und Schottky-Dioden mit Einsatzbereich von 12 V bis 60 V und von 0,1 A bis 48 A. Trench- und Dünn-Wafer-Technologien sowie neuartige Chip-Scale-Packages mit guten thermischen Eigenschaften unterstützen besonders kompakte und effiziente Schattungsdesigns.
机译:松下是世界上最早使用自阻挡GaN晶体管扩展其“ Enelead”功率半导体程序的制造商之一,该晶体管的反向电压为600 V,通态电阻为65mΩ,最大载流量为15A。 Enelead还包括用于电池管理系统和电源的更广泛的组件阵容。其中包括MOSFET和肖特基二极管,其使用范围为12 V至60 V和0.1 A至48A。沟槽和薄晶圆技术以及具有良好热性能的新型芯片级封装支持特别紧凑和有效的遮光设计。

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    《Design & Elektronik》 |2013年第12期|7-7|共1页
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