SiC-Halbbrücke

摘要

Ein rein SiC-bestücktes 300-A-/1,2-kV-Halbbrückenmodul im 62-mm-Standard-gehäuse von Cree soll die Herstellung kompakterer, leichterer, effizienterer und kostengünstigerer Leistungselektroniksysteme ermöglichen. Der Wirkungsgrad des »CAS300M12BM2« genannten Moduls liegt bei 99%; es wird mit verschiedenen Gatetreiber-Optionen angeboten. In Tausender-Stückzahlen liegt der Preis bei 451,- US-Dollar.