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机译:SiC-MOSFET的工作温度高达+200℃
机译:MLCC可在+200℃的温度下工作
机译:从DC到200 kHz
机译:激光雕刻电池在6米〜2上工作,最多10天
机译:使用3.3 kV SiC-MOSFET模块进行无功补偿的6.6 kV 200 kVA无变压器SDBC STATCOM的性能
机译:中电压SiC-MOSFET启用的中电压DC应用的功率转换器的设计与控制
机译:锑缓冲层对云母基底上200和600 nm厚铋薄膜的电和磁性能的影响
机译:评价210MBi / 210gBI分支比的209BI(n,.gamma。)中子能量的210bi横截面的分支比率从200kev到3.0 mev
机译:Bi206,Tl200,Tl201,Tl202,In109,In110m和In111的一些核性质Bi206,Tl200,Tl201和Tl202的核自旋In109,In110m和In111的核自旋,磁偶极子和电四极相互作用常数