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机译:CdTe量子点复合材料发射光谱中的形变诱发蓝移
Chinese Acad Sci, Inst Mech, LNM, Beijing 100190, Peoples R China|Georgia Inst Technol, George W Woodruff Sch Mech Engn, Sch Mat Sci & Engn, Atlanta, GA 30332 USA;
Beihang Univ, Sch Phys & Nucl Energy Engn, Beijing 100191, Peoples R China;
Chinese Acad Sci, Inst Mech, LNM, Beijing 100190, Peoples R China;
Georgia Inst Technol, George W Woodruff Sch Mech Engn, Sch Mat Sci & Engn, Atlanta, GA 30332 USA;
CdTe quantum dot; Band gap; Empirical tight binding; Molecular dynamics; Finite element method; Pressure sensor; Laser-driven shock compression;
机译:低红外发射率光学活性聚乙炔@CdTe量子点复合材料的制备与表征
机译:Ⅱ型量子点和量子环纳米结构中发射能的蓝移
机译:通过多声子发射对富Zn ZnCdTe量子阱中嵌入的ZnCdTe量子点的选择性激发
机译:应变诱导由薄垫片分离的退火双层量子点结构的发射峰蓝光的停止
机译:抗坏血酸对CdTe量子点的影响以及对CdTeHg量子点的不同化学传感器的研究。
机译:用于X射线闪烁和成像的CdTe量子点和聚合物纳米复合材料
机译:冲击压缩下CDTE量子点/聚合物纳米复合材料的激光激发光发射响应