...
首页> 外文期刊>Вестник Московского авиационного института >ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАРАМЕТРОВ ОСНОВНЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИНЗЫ И УСЛОВИЙ ЕЕ ХРАНЕНИЯ НА ГЕОМЕТРИЧЕСКУЮ ФОРМУ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА
【24h】

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАРАМЕТРОВ ОСНОВНЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИНЗЫ И УСЛОВИЙ ЕЕ ХРАНЕНИЯ НА ГЕОМЕТРИЧЕСКУЮ ФОРМУ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА

机译:硅电子透镜生产的基本技术操作参数及其存储条件对电子束几何形状的影响研究

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
   

获取外文期刊封面封底 >>

       

摘要

Lithographic processing is one of the key operations of technological processes while semiconductor devices and integrated circuits manufacturing. Its parameters effect strongly the precision of the devices' structure creation, and, as a consequence, its output characteristics. Multi beam lithography is implemented in particular. Its technological equipment uses silicon electronic lenses for electron beam control, which electronic and optical parameters affect the accuracy of the manufactured product structure and, as consequence, their output characteristics. The paper tackles the topical problem of ensuring the specified electro-optical parameters of electrostatic lens (including geometric sectional shape of electron beam) during its production, storage, and transportation, as well as repeatability of these parameters from batch to batch. The research object of this project is electro-static lens representing silicon plate with a plenty of holes of circular shape. The lens under study is used in technological equipment for multi-beam e-lithography for a powerful beam splitting into a multitude of beams. The electro-static lens parameters degradation causes in length of time identification, and their elimination technique development are the main tasks of this studies. In the course of the study, a number of operations and factors that could affect the electro-optical lens parameters was revealed. According to the results of expert evaluation of electronic lens manufacturing technological process, these factors are oxidation and chemical cleaning operations. The results of various technological operations and factors effect on electro-optical lens parameters variation were presented. While this research a series of experiments was conducted, which considered variation of electro-optical lens parameters in length of time. The obtained results of the studies allowed revealing possible reasons of electro-static lens parameters degradation in length of time, and developing technological recommendations to prevent this degradation. The plan of future studies is presented.%Определены основные технологические операции изготовления кремниевой электронной линзы и их характеристики, оказывающие наибольшее влияние на ее основной электронно-оптический параметр - геометрическую форму сечения электронного пучка. Рассмотрено влияние условий хранения электронной линзы на отклонение геометрической формы сечения электронного пучка. Выявлены возможные причины увеличения со временем отклонения геометрической формы сечения электронного пучка, а также разработаны технологические рекомендации по технологическому процессу изготовления электронной линзы и условиям ее хранения для снижения скорости роста отклонения геометрической формы сечения электронного пучка.
机译:光刻工艺是半导体器件和集成电路制造过程中工艺过程的关键操作之一。其参数强烈影响设备结构创建的精度,并因此影响其输出特性。尤其是实现多束光刻。它的技术设备使用硅电子透镜控制电子束,其电子和光学参数会影响制成品结构的准确性,进而影响其输出特性。本文解决了一个主要问题,即在生产,储存和运输过程中确保静电透镜的指定电光参数(包括电子束的几何截面形状)以及这些参数在批次之间的可重复性。该项目的研究对象是静电透镜,代表具有大量圆形孔的硅片。研究中的透镜用于多光束电子光刻技术设备中,可将强大的光束分成多个光束。静电透镜参数的退化导致时间识别的时间长短,其消除技术的发展是本研究的主要任务。在研究过程中,揭示了许多可能影响电光透镜参数的操作和因素。根据电子镜片制造工艺过程专家评估的结果,这些因素是氧化和化学清洗操作。介绍了各种技术操作的结果以及影响电光透镜参数变化的因素。在进行这项研究的同时,进行了一系列实验,其中考虑了电光透镜参数随时间的变化。研究的所得结果揭示了静电透镜参数随时间推移而退化的可能原因,并提出了防止这种退化的技术建议。未来的研究计划,提出%Определеныосновныетехнологическиеоперацииизготовлениякремниевойэлектроннойлинзыииххарактеристики,оказывающиенаибольшеевлияниенаееосновнойэлектронно-оптическийпараметр - геометрическуюформусеченияэлектронногопучка。 Рассмотреновлияниеусловийхраненияэлектроннойлинзынаотклонениегеометрическойооомосечени。 Выявленывозможныепричиныувеличениясовременемотклонениягеометрическойформысеченияэлектронногопучка,атакжеразработанытехнологическиерекомендациипотехнологическомупроцессуизготовленияэлектроннойлинзыиусловиямеехранениядлясниженияскоростиростаотклонениягеометрическойформысеченияэлектронногопучка。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号