КОМПАКТНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ОДИНОЧНЫХ СБОЕВ: ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ЧАСТОТЫ СБОЕВ В КОСМОСЕ ПО ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫМ ДАННЫМ НА УСКОРИТЕЛЕ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ

摘要

Предложена процедура расчета частот сбоев коммерческих микросхем памяти от протонов по экспериментальным данным на ускорителе тяжелых заряженных частиц. Расчет проводится с помощью Монте-Карло моделирования ЛПЭ-спектра вторичных частиц в чувствительном объеме микросхемы. Проведена верификация процедуры расчета прямым сравнением с полетными данными.