КОМПАКТНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ОДИНОЧНЫХ СБОЕВ: ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ЧАСТОТЫ СБОЕВ В КОСМОСЕ ПО ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫМ ДАННЫМ НА УСКОРИТЕЛЕ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ

摘要

The proton soft error rates calculation technique of commercial memory circuits based on heavy ions data is offered. Soft error rates by means of Monte Carlo simulation of secondary particles LET-spectra in the circuit's sensitive slab are calculated. The calculation procedure by the direct comparison with on-board data is verified.%Предложена процедура расчета частот сбоев коммерческих микросхем памяти от протонов по экспериментальным данным на ускорителе тяжелых заряженных частиц. Расчет проводится с помощью Монте-Карло моделирования ЛПЭ-спектра вторичных частиц в чувствительном объеме микросхемы. Проведена верификация процедуры расчета прямым сравнением с полетными данными.