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机译:超紧凑HⅡ区G10.6-0.4的电离增长
机译:超紧凑HⅡ区G10.6-0.4的电离增长
机译:G10.6-0.4中的球面感染:通过超紧凑型H II区增加
机译:超紧凑H II区G10.6–0.4中的电离积聚流
机译:使用Nautilus模拟实验室吸积盘和弱电离高超声速流
机译:与超紧凑电离区域相关的热分子气体的研究。
机译:第一张CO +图像:I.在超紧凑型HII区域Mon R2周围探测HI / H2层
机译:G10.6-0.4发生球形破坏:通过超紧凑型HII区域进行吸积