机译:用光发射光谱法确定4H-SiC / Ni界面的能带排列
Univ S Florida, Dept Elect Engn, Tampa, FL 33620 USA;
silicon carbide; nickel; interface chemistry; photoemission spectroscopy; band line-up; SILICON-CARBIDE; OHMIC CONTACTS; SCHOTTKY; DEVICES; DEPENDENCE; JUNCTIONS; SURFACES; NICKEL;
机译:内部光发射和电荷校正的X射线光电子能谱确定GeO
机译:内部光发射和电荷校正的X射线光电子能谱确定了GeO_2 / Ge界面处的导带偏移
机译:CBD-CdS / Cu(In,Ga)Se_2双层结构的界面性质和能带取向的光发射和逆光发射光谱学表征
机译:通过光发射和逆光发射光谱研究CBD-CdS / Cu(In_(1-x)Ga_x)Se_2(x = 0.2-1.0)界面的能带对准
机译:LaNiO3 / SrTiO 3超晶格及其界面的硬和软X射线驻波光电子能谱和角分辨光电子能谱研究。
机译:X射线照相机扫描光谱研究沉积在LINBO3底物中的Ni层中诱导的单轴磁各向异性
机译:X射线光发射光谱法测定ZnO / AlN异质结的价带偏移