机译:原位热退火对CdTe缓冲层上生长的Hg0.7Cd0.3Te外延层的结构,光学和电学性质的影响
Dongguk Univ, Dept Phys, Seoul 100715, South Korea;
Dongguk Univ, Quantum Funct Semicond Res Ctr, Seoul 100715, South Korea;
Hanyang Univ, Div Elect & Comp Engn, Adv Semicond Res Ctr, Seoul 133791, South Korea;
thermal annealing effect; molecular beam epitaxy; optical properties; semiconductors; surface morphology; BEAM EPITAXIAL-GROWTH; HGCDTE; GAAS; REDUCTION; FILMS;
机译:CdTe缓冲层上生长的原位退火Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te外延层的微观结构和电学性质对退火温度和Hg细胞通量的依赖性
机译:退火对在CdTe缓冲层上生长的Hg0.7 sub> Cd0.3 sub> Te外延层的微观结构和光学性质的影响
机译:利用通过两步退火工艺在GaAs衬底上生长的CdTe缓冲层提高Hg_(1-x)Cd_xTe外延层的结晶度和电性能
机译:低温GaN层对高温GaN层对GaAs(001)基板的立方GaN癫痫结构结构和光学性质的影响
机译:原位热退火工艺对脉冲激光沉积制造CDS Cdte薄膜太阳能电池结构,光学和电性能的影响
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构,电学和光学性质的影响
机译:分子束外延生长HgCdTe / si层的非原位热循环退火。