机译:退火气氛对MOCVD生长ZnO薄膜的影响
Dalian Univ Technol, State Key Lab Mat Modificat Laser Ion Electron Be, Dalian 116024, Peoples R China;
Dalian Univ Technol, Dept Phys, Dalian 116024, Peoples R China;
Jilin Univ, Coll Elect Sci & Engn, State Key Lab Integrated Optoelect, Changchun 130023, Peoples R China;
XRD; annealing atmosphere; grain boundary; oxygen; CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; OPTICAL BAND-GAP; ZINC-OXIDE; TRANSPARENT; TEMPERATURE; EMISSION; EPITAXY;
机译:退火气氛对MOCVD生长ZnO薄膜的影响
机译:氮退火对常压MOCVD法在c-Al2O3上生长的ZnO薄膜结构和光致发光性能的影响
机译:退火对等离子MOCVD生长ZnO薄膜的影响
机译:MOCVD法生长ZnO基薄膜的退火条件优化
机译:ZnO和ZnO基薄膜合金退火的函数的温度依赖带边缘分布分析
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:Ga和as从半绝缘Gaas衬底异常扩散到mOCVD生长的ZnO薄膜中作为退火温度的函数及其对电荷补偿的影响
机译:通过mOCVD生长的p型ZnO薄膜。